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FDBL9403-F085T6
1个N沟道 耐压:40V 电流:300A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 小尺寸封装（TOLL），适合紧凑设计。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL9403-F085T6
- 商品编号
- C2902246
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.989克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 159.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.985nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.72nF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 小尺寸封装(TOLL),适用于紧凑设计
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示器电源
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 照明/充电器/适配器