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FDBL9403-F085T6
1个N沟道 耐压:40V 电流:300A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。 小尺寸封装（TOLL），适合紧凑设计。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL9403-F085T6
- 商品编号
- C2902246
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.989克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 159.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.985nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.72nF |
优惠活动
购买数量
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