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FDBL9406-F085T6
1个N沟道 耐压:40V 电流:240A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QJ和电容，以最小化驱动损耗。 降低开关噪声/电磁干扰。 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序能力。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDBL9406-F085T6
- 商品编号
- C2902247
- 商品封装
- HPSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
800 V SUPERFET III MOSFET是安森美半导体的高性能MOSFET系列，提供800 V的击穿电压。 全新的800 V SUPERFET III MOSFET针对反激式转换器的初级开关进行了优化。凭借其优化设计，在不牺牲EMI性能的情况下，可降低开关损耗和管壳温度。此外，内部齐纳二极管显著提高了ESD能力。 这一全新的800 V SUPERFET III MOSFET系列在开关电源应用（如笔记本电脑适配器、音频、照明、ATX电源和工业电源）中表现卓越，能够实现更高效、更紧凑、更低温且更可靠的应用。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
应用领域
- 适配器/充电器-LED照明-辅助电源-音频-工业电源