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NTMTSC002N10MCTXG
1个N沟道 耐压:100V 电流:236A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（8x8mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。 新型Power 88双散热封装。 无铅产品，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTSC002N10MCTXG
- 商品编号
- C2902299
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 236A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@520uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.305nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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