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NTMTSC002N10MCTXG
1个N沟道 耐压:100V 电流:236A
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- 描述
- 特性：小尺寸封装（8x8mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。 新型Power 88双散热封装。 无铅产品，符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTSC002N10MCTXG
- 商品编号
- C2902299
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 236A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 255W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.305nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
UniFET II MOSFET是基于先进平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该先进MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2 kV的HBM浪涌应力。UniFET II Ultra FRFET MOSFET具有更出色的体二极管反向恢复性能。其trr小于50 ns，反向dv/dt抗扰度为20 V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200 ns，反向dv/dt抗扰度为4.5 V/ns。因此，在某些需要改善MOSFET体二极管性能的应用中，UniFET II Ultra FRFET MOSFET可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 新型Power 88双散热封装
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示电源
- 工业电源
- 消费电源