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NTHL019N65S3H
1个N沟道 耐压:650V 电流:75A
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- 描述
- SUPERFET III MOSFET利用电荷平衡技术，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET FAST系列有助于缩小各种电源系统的体积并提高系统效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHL019N65S3H
- 商品编号
- C2902293
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@14.3mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 282nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.993nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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