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NTHL099N60S5实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTHL099N60S5

1个N沟道 耐压:600V 电流:33A

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描述
SUPERFET V MOSFET易驱动系列在硬开关和软开关拓扑中,兼具出色的开关性能,同时不会牺牲易用性和产生电磁干扰(EMI)问题。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTHL099N60S5
商品编号
C2902234
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on))99mΩ@10V
耗散功率(Pd)184W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@2.8mA
栅极电荷量(Qg)48nC@10V
输入电容(Ciss)2.5nF@400V
反向传输电容(Crss)41pF@400V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 屏蔽栅MOSFET技术
  • 在VGS = 10 V、ID = 62 A条件下,最大RDS(on) = 7.3 mΩ
  • Qrr比其他MOSFET供应商的产品低50%
  • 降低开关噪声/电磁干扰
  • 经过100%单脉冲雪崩测试
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准

应用领域

  • ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器

数据手册PDF