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AFGHL75T65SQDC
IGBT混合场截止型沟槽式，650 V、75 A，TO247封装
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- 描述
- 采用新型场截止第四代 IGBT 技术和 1.5 代 SiC 肖特基二极管技术，在各种应用中，特别是图腾柱无桥 PFC 和逆变器中，具有低导通和开关损耗，可实现高效运行。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- AFGHL75T65SQDC
- 商品编号
- C2902241
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 输出电容(Coes) | 289.4pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.4V@75mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 139nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 4.574nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 107ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.68mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.11mJ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 11.2pF |
优惠活动
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