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NTMTS1D6N10MCTXG
1个N沟道 耐压:100V 电流:273A
- 描述
- 特性：小尺寸（8x8mm），适用于紧凑设计。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 低栅极电荷和电容，以最小化驱动损耗。 新型 Power 88 封装。 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTS1D6N10MCTXG
- 商品编号
- C2902236
- 商品封装
- DFNW-8(8.4x8.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 273A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 291W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@650uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.26nF |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 3000 个)个
起订量：3000 个3000个/圆盘
总价金额：
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