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NTB011N15MC

1个N沟道耐压:150V 电流:75.4A

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描述: 特性：屏蔽栅MOSFET技术。最大导通电阻RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 41A时为10.9mΩ。 Qrr比其他MOSFET供应商低50%。降低开关噪声/电磁干扰。 100%进行UIL测试。这些器件无铅、无卤、无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：ATX/服务器/电信电源的同步整流。电机驱动和不间断电源
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTB011N15MC
商品编号: C2902229
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.75克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III FAST MOSFET适用于各种AC/DC电源转换，有助于实现系统小型化和提高效率。 Power88封装是一种超薄表面贴装封装（高度1 mm），外形低矮，占位面积小（8 x 8 mm²）。采用Power88封装的SUPERFET III MOSFET由于具有较低的寄生源极电感以及独立的功率和驱动源，因而具备出色的开关性能。Power88封装的潮湿敏感度等级为1级（MSL 1）。

商品特性

700 V @ T_J = 150°C
典型RDS(on) = 156 mΩ
超低栅极电荷（典型Q_g = 31 nC）
低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 292 pF）
经过100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

电信/服务器电源
工业电源
不间断电源/太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	150V
	连续漏极电流(Id)	75.4A
	导通电阻(RDS(on))	10.9mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	136.4W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@223uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	37nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.81nF
	反向传输电容(Crss)	14pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	840pF