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NTB7D3N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:101A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB7D3N15MC
- 商品编号
- C2902230
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 101A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 166W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@342uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.25nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SUPERFET III MOSFET 是全新的高压超结（SJ）MOSFET 系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。
因此，SUPERFET III FAST MOSFET 系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型 RDS(on) = 77 mΩ
- 超低栅极电荷（典型 Q_g = 58 nC）
- 低有效输出电容（典型 C_oss(eff.) = 522 pF）
- 经过 100% 雪崩测试
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 计算机/显示器电源
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 照明/充电器/适配器
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