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NTBL082N65S3HF

1个N沟道耐压:650V 电流:40A

描述: SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTBL082N65S3HF
商品编号: C2902231
商品封装: H-PSOF-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 1.3克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 23.7 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg = 201 nC）
低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 1615 pF）
经过100%雪崩测试
这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

电信/服务器电源
工业电源
不间断电源（UPS）/太阳能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	40A
	导通电阻(RDS(on))	82mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	50W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V@1mA
	栅极电荷量(Qg)	79nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.33nF@400V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道