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AOD66923-HXY

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:100V 电流:70A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    AOD66923 是一款高功率N沟道MOSFET,采用高效散热的TO-252-2L封装,专为大电流、高压应用设计。该器件具有高达100V的漏源电压VDSS和卓越的70A连续漏极电流ID能力,能满足严苛的电力传输需求。其亮点在于超低的8.2mR导通电阻RD(on),有效减少能量损耗,大幅度提升系统效率。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    AOD66923-HXY
  • 商品编号

    C22367362
  • 商品封装

    TO-252-2L
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.3845克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
属性参数值
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-

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