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AOD66923-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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- 描述
- AOD66923 是一款高功率N沟道MOSFET，采用高效散热的TO-252-2L封装，专为大电流、高压应用设计。该器件具有高达100V的漏源电压VDSS和卓越的70A连续漏极电流ID能力，能满足严苛的电力传输需求。其亮点在于超低的8.2mR导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，大幅度提升系统效率。
- 商品型号
- AOD66923-HXY
- 商品编号
- C22367362
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NDS355N采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 4A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源