AOD66923-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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描述
AOD66923 是一款高功率N沟道MOSFET，采用高效散热的TO-252-2L封装，专为大电流、高压应用设计。该器件具有高达100V的漏源电压VDSS和卓越的70A连续漏极电流ID能力，能满足严苛的电力传输需求。其亮点在于超低的8.2mR导通电阻RD(on)，有效减少能量损耗，大幅度提升系统效率。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AOD66923-HXY商品编号
C22367362商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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