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BSC093N04LSG-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- BSC093N04LSG 是一款高效能N沟道MOSFET，采用小型化DFN5X6-8L封装，适合空间有限的设计方案。该器件具备40V的漏源耐压(VDSS)及60A的大电流承载能力(ID)，且导通电阻低至6.9mΩ(RD(on))，确保在高功率运行下仍保持较低的能量损耗。这款MOS管凭借出色的电气性能，广泛应用于电源转换、电机驱动和其他高效能电路中，是您优化系统效能的理想之选。
- 商品型号
- BSC093N04LSG-HXY
- 商品编号
- C22367521
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.509nF |
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