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AOTE32136C-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- AOTE32136C 是一款高效能N+N沟道MOSFET，采用了节省空间的TSSOP-8封装样式，特别适合在紧凑型电路设计中使用。器件的关键性能指标包括最大漏源电压VDSS为20V，能够支持高达7.5A的连续漏极电流ID，而且拥有极低的导通电阻RD(on)，仅为11.5mR，有助于大幅度降低系统功耗并提升整体能效。这款MOS管广泛应用于开关电源转换、电机驱动、LED调光以及众多中低电压、中等电流的电子设备中。
- 商品型号
- AOTE32136C-HXY
- 商品编号
- C22367367
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
BUK7230 - 55A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 20 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 32 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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