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IPD050N03LG-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 此款N型场效应管提供100A的电流承载能力和30V的工作电压范围，适用于多种非工业领域。其内阻典型值低至3.8mΩ，显著降低了导通状态下的能耗。20V的VGS阈值电压确保了在广泛的应用环境中都能实现可靠的开关性能。该元件适合用于消费电子产品的电源管理、高效能转换电路以及其他要求高性能和低功耗的应用场景中。
- 商品型号
- IPD050N03LG-HXY
- 商品编号
- C22367518
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF |
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