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IPD042P03L3G-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- IPD042P03L3G 是一款高性能P沟道MOSFET，采用散热良好的TO-252-2L封装，专为大电流应用设计。器件提供30V的额定电压VDSS，可承载高达120A的连续电流ID，彰显其卓越的电力处理能力。其独特的3.7mΩ导通电阻RD(on)设计，确保了在高电流下仍能维持极低功耗，提升系统效率。广泛应用于电源转换、电池管理系统以及大电流负载开关等场景，是您实现高功率、高效能半导体解决方案的理想选择。
- 商品型号
- IPD042P03L3G-HXY
- 商品编号
- C22367526
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.371克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 820pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- BUK7219-55A-HXY
- SPD18P06PG-HXY
- BSC080P03LSG-HXY
- BUK7Y07-30B-HXY
- BSS138BK-HXY
- PHD71NQ03LT-HXY
- BUK9214-30A-HXY
- BSH108-HXY
- 1200MM*800MM*145MM
- 1220*2440*20mm
- GL5-L/28a/115
- LFB18868MBG9E212
- AVR64DD28T-I/SS
- SN74AHCT14BQAR
- 9774035151R
- POHS252012-4R7M
- HGC0402R5226M100NTEJ
- HGC0402R5475M250NTEJ
- HGC0603R5106K250NTHJ
- HGC0603R5106K350NTHJ
- HGC0603R5106M350NTHJ