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BSC080P03LSG-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
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- 描述
- BSC080P03LSG P沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具备优良的散热性能和空间优化设计。该器件参数强劲额定漏源电压(VDSS)高达30V，可承载70A连续大电流，而6mΩ的低导通电阻(RD(on))保证了高效能与低功耗表现。广泛应用在电源转换、电机驱动等大电流处理领域，是提升系统性能和实现节能方案的理想半导体组件选择。
- 商品型号
- BSC080P03LSG-HXY
- 商品编号
- C22367529
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 487pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 529pF |
- BUK7Y07-30B-HXY
- BSS138BK-HXY
- PHD71NQ03LT-HXY
- BUK9214-30A-HXY
- BSH108-HXY
- 1200MM*800MM*145MM
- 1220*2440*20mm
- GL5-L/28a/115
- LFB18868MBG9E212
- AVR64DD28T-I/SS
- SN74AHCT14BQAR
- 9774035151R
- POHS252012-4R7M
- HGC0402R5226M100NTEJ
- HGC0402R5475M250NTEJ
- HGC0603R5106K250NTHJ
- HGC0603R5106K350NTHJ
- HGC0603R5106M350NTHJ
- HGC0603R5226M160NTHJ
- HGC0603R5475K350NTHJ
- HGC0805R5106K500NSLJ