BSS138BK-HXY
1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
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- 描述
- 这款场效应管为N型,电流仅0.2A,适用于低功率应用场景。电压为50V,可在特定电压条件下工作。内阻典型值1100mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于一些小功率电子设备的电流控制。
- 商品型号
- BSS138BK-HXY
- 商品编号
- C22367531
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.22A | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 超级结技术
- 更低的导通电阻×面积(Ron*A)性能,提升导通效率
- 极低的品质因数(FOM)带来更高效率
- 超快速小二极管
- 漏源击穿电压(VDSS)=650V,漏极电流(ID)=8A
- 导通电阻(RDS(on)):在栅极电压(VG)=10V时为0.42 mΩ(典型值)
- TO - 252封装
- 符合RoHS标准
