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BUK7Y07-30B-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- BUK7Y07-30B N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高密度电路设计。该器件拥有30V的最大工作电压（VDSS），并能承载高达80A的连续漏极电流，展现了卓越的电流处理性能。特别强调其出色的导通电阻仅有4.7mΩ（RD(on)），有效减小功耗，提升系统能效。此款MOS管适用于诸如开关电源、电机驱动、以及其他需要大电流、低阻抗特性的高端电子应用场合。
- 商品型号
- BUK7Y07-30B-HXY
- 商品编号
- C22367530
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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