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BUK7Y07-30B-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- BUK7Y07-30B N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高密度电路设计。该器件拥有30V的最大工作电压（VDSS），并能承载高达80A的连续漏极电流，展现了卓越的电流处理性能。特别强调其出色的导通电阻仅有4.7mΩ（RD(on)），有效减小功耗，提升系统能效。此款MOS管适用于诸如开关电源、电机驱动、以及其他需要大电流、低阻抗特性的高端电子应用场合。
- 商品型号
- BUK7Y07-30B-HXY
- 商品编号
- C22367530
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- BSS138BK-HXY
- PHD71NQ03LT-HXY
- BUK9214-30A-HXY
- BSH108-HXY
- 1200MM*800MM*145MM
- 1220*2440*20mm
- GL5-L/28a/115
- LFB18868MBG9E212
- AVR64DD28T-I/SS
- SN74AHCT14BQAR
- 9774035151R
- POHS252012-4R7M
- HGC0402R5226M100NTEJ
- HGC0402R5475M250NTEJ
- HGC0603R5106K250NTHJ
- HGC0603R5106K350NTHJ
- HGC0603R5106M350NTHJ
- HGC0603R5226M160NTHJ
- HGC0603R5475K350NTHJ
- HGC0805R5106K500NSLJ
- HGC0805R5226M100NSLJ