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BUK7219-55A-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，具有50A的电流承载能力和60V的电压耐受值。内阻典型值为15mR，可减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有一定要求的电子设备，确保设备稳定运行。
- 商品型号
- BUK7219-55A-HXY
- 商品编号
- C22367527
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
AOTE32136C是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准和产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 7A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 14mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源