PMV213SN-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- 这款场效应管为N型,电流为2A,适用于小电流场景。电压高达100V,可在较高电压环境下稳定工作。内阻典型值220mR。VGS为20V。在消费电子领域,可用于对电压有较高要求且电流不大的电子设备中。
- 商品型号
- PMV213SN-HXY
- 商品编号
- C22367522
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 321pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 21pF |
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- 1200MM*800MM*145MM
- 1220*2440*20mm
- GL5-L/28a/115
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- AVR64DD28T-I/SS
- SN74AHCT14BQAR
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- HGC0402R5226M100NTEJ


