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BUK7230-55A-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 此N型场效应管具备20A的电流承载能力与60V的工作电压范围，内阻典型值低至27mΩ，有助于减少能量损耗。支持20V的栅源电压
- 商品型号
- BUK7230-55A-HXY
- 商品编号
- C22367519
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
DMN2016UTS是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷。该产品符合RoHS标准和产品要求，并经过全面的功能可靠性认证。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 7.5A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 13 mΩ
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 16 mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源-TSSOP-8-双N沟道MOSFET