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BUK72150-55A-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 这款场效应管属于N型，具有出色的性能。其电流可达20A，电压为60V，内阻典型值为27mR，VGS为20V。在电子设备领域，它能出色地发挥作用。比如在消费类电子产品中，凭借其稳定的电流和电压特性，保障设备的高效运行。又例如在一些常见的电子电路中，能精准控制电流，实现稳定的功率输出，确保电路的稳定性和可靠性。
- 商品型号
- BUK72150-55A-HXY
- 商品编号
- C22367520
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
AO8820是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准，且通过了全功能可靠性测试，满足产品要求。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 7A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 14mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 17mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源