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BSZ130N03MSG-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- BSZ130N03MSG 型号MOS管是一款高效能N沟道半导体器件，采用小型化DFN3X3-8L封装设计，专为高密度电路板应用优化。其强大之处在于拥有30V的耐压等级VDSS，以及惊人的30A连续电流ID承载力，充分展现卓越的功率管理能力。尤为突出的是，导通电阻低至9mR，显著提升能源利用率和系统效能。本产品广泛应用在电源管理、马达驱动等各种领域，出厂前已进行严苛品质测试，确保为您提供一流的性能和稳定性。
- 商品型号
- BSZ130N03MSG-HXY
- 商品编号
- C22367514
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
BSZ130N03MSG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V
- ID = 30A
- RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源