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BSZ130N03MSG-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- BSZ130N03MSG 型号MOS管是一款高效能N沟道半导体器件，采用小型化DFN3X3-8L封装设计，专为高密度电路板应用优化。其强大之处在于拥有30V的耐压等级VDSS，以及惊人的30A连续电流ID承载力，充分展现卓越的功率管理能力。尤为突出的是，导通电阻低至9mR，显著提升能源利用率和系统效能。本产品广泛应用在电源管理、马达驱动等各种领域，出厂前已进行严苛品质测试，确保为您提供一流的性能和稳定性。
- 商品型号
- BSZ130N03MSG-HXY
- 商品编号
- C22367514
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- BSC020N03LSG-HXY
- BSC020N03MSG-HXY
- IPD088N06N3G-HXY
- IPD050N03LG-HXY
- BUK7230-55A-HXY
- BUK72150-55A-HXY
- BSC093N04LSG-HXY
- PMV213SN-HXY
- BSH114-HXY
- BUK92150-55A-HXY
- BUK9277-55A-HXY
- IPD042P03L3G-HXY
- BUK7219-55A-HXY
- SPD18P06PG-HXY
- BSC080P03LSG-HXY
- BUK7Y07-30B-HXY
- BSS138BK-HXY
- PHD71NQ03LT-HXY
- BUK9214-30A-HXY
- BSH108-HXY
- 1200MM*800MM*145MM