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BSC020N03LSG-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- BSC020N03LSG N沟道MOS管，采用紧凑高效的DFN5X6-8L封装，尤其适合空间有限的设计方案。具备30V的最大漏源电压，可持续提供高达150A的漏极电流，展现卓越的电力处理能力。其导通电阻低至2mΩ，确保在大电流运行状态下依然维持低功耗和高效率，广泛适用于电源转换、电机控制以及其他高电流应用场合，是您打造高性能电子系统的理想半导体元件。
- 商品型号
- BSC020N03LSG-HXY
- 商品编号
- C22367515
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRLML2030PBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的R_DS(ON)、低栅极电荷，且在低至2.5 V的栅极电压下仍可正常工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V， ID = 4A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 38mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源