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BSC020N03LSG-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- BSC020N03LSG N沟道MOS管，采用紧凑高效的DFN5X6-8L封装，尤其适合空间有限的设计方案。具备30V的最大漏源电压，可持续提供高达150A的漏极电流，展现卓越的电力处理能力。其导通电阻低至2mΩ，确保在大电流运行状态下依然维持低功耗和高效率，广泛适用于电源转换、电机控制以及其他高电流应用场合，是您打造高性能电子系统的理想半导体元件。
- 商品型号
- BSC020N03LSG-HXY
- 商品编号
- C22367515
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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- 1200MM*800MM*145MM
- 1220*2440*20mm
- GL5-L/28a/115
- LFB18868MBG9E212
- AVR64DD28T-I/SS
- SN74AHCT14BQAR
- 9774035151R
- POHS252012-4R7M
- HGC0402R5226M100NTEJ
- HGC0402R5475M250NTEJ