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IPD088N06N3G-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和60V的电压耐受性，内阻典型值为6.5mΩ，适用于高电流、低内阻要求的应用场景。其VGS为20V，确保了良好的开关性能。该元器件广泛应用于电源管理、负载开关等领域，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
- 商品型号
- IPD088N06N3G-HXY
- 商品编号
- C22367517
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
IPD088N06N3G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 80A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 8.3 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源
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- 1200MM*800MM*145MM
- 1220*2440*20mm
- GL5-L/28a/115
- LFB18868MBG9E212