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IPD088N06N3G-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和60V的电压耐受性，内阻典型值为6.5mΩ，适用于高电流、低内阻要求的应用场景。其VGS为20V，确保了良好的开关性能。该元器件广泛应用于电源管理、负载开关等领域，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
- 商品型号
- IPD088N06N3G-HXY
- 商品编号
- C22367517
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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