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PHD97NQ03LT-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有80A的电流承载能力，30V的工作电压，以及5mΩ的典型内阻。其VGS为20V，适用于要求高电流、低内阻的应用场景，如电源管理、负载开关等。该元器件的高性能确保了系统的稳定运行，是众多电子设备的理想选择。
- 商品型号
- PHD97NQ03LT-HXY
- 商品编号
- C22367511
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
AOD66923采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 70 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用
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