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BSO615NG-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
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- 描述
- 这款N+N型场效应管，具备6.5A的电流承载能力，最高60V的工作电压，以及32mR的典型内阻。其VGS为20V，适用于多种应用场景。该元器件具有优异的性能表现，可确保系统的稳定运行，提升整体效率。无论是电源管理还是信号放大，它都能发挥关键作用，是电子设备的理想之选。
- 商品型号
- BSO615NG-HXY
- 商品编号
- C22367513
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
IPD050N03LG采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并支持低至4.5V的栅极电压工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 100 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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