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DMN2016UTS-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:7.5A
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- 描述
- 这款场效应管为N+N型。电流为7.5A，可承载一定程度的电流。电压20V，适应多种常见电压环境。内阻典型值11.5mR，较为适中。VGS为10V。它适用于各类电子设备，可在电源管理和信号处理等方面发挥作用，确保电路稳定运行。
- 商品型号
- DMN2016UTS-HXY
- 商品编号
- C22367368
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
DMN2016UTS是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准，具备完整功能且可靠性经过认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS）为20V，漏极电流（ID）为7.5A
- 当栅源电压（VGS）为4.5V时，导通电阻（RDS(ON)）小于13mΩ
- 当栅源电压（VGS）为2.5V时，导通电阻（RDS(ON)）小于16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- TSSOP - 8封装
- 双N沟道MOSFET
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