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BUK7210-55B-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK7210-55B-HXY

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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描述
这款N型场效应管拥有50A的电流承载能力和60V的电压耐受性,内阻典型值为11mΩ,适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V,确保了良好的控制性能。该产品适用于多种高性能电子设备,能够确保稳定运行,提高系统效率。无论是电源管理还是信号放大,都能提供卓越的性能表现。
商品型号
BUK7210-55B-HXY
商品编号
C22367509
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.39克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

BSZ130N03MSG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V
  • ID = 30A
  • RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = 10V

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF