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PMV32UP-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于多种应用场景。其最大电流为5A，承受电压高达20V，内阻典型值为30mΩ，确保了高效的电流承载能力。VGS为12V，使得产品在正常工作状态下能够发挥最佳性能。该元器件因其出色的电性能和稳定性，被广泛应用于各类电子系统中。
- 商品型号
- PMV32UP-HXY
- 商品编号
- C22367510
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026818克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
- BSZ130N03MSG-HXY
- BSC020N03LSG-HXY
- BSC020N03MSG-HXY
- IPD050N03LG-HXY
- BSC093N04LSG-HXY
- PMV213SN-HXY
- BSH114-HXY
- IPD042P03L3G-HXY
- SPD18P06PG-HXY
- BSC080P03LSG-HXY
- BUK7Y07-30B-HXY
- BSS138BK-HXY
- BSH108-HXY
- 1200MM*800MM*145MM
- 1220*2440*20mm
- GL5-L/28a/115
- LFB18868MBG9E212
- AVR64DD28T-I/SS
- SN74AHCT14BQAR
- 9774035151R
- POHS252012-4R7M