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PMV32UP-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMV32UP-HXY

1个P沟道 耐压:20V 电流:5A

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描述
这款场效应管采用P型设计,适用于多种应用场景。其最大电流为5A,承受电压高达20V,内阻典型值为30mΩ,确保了高效的电流承载能力。VGS为12V,使得产品在正常工作状态下能够发挥最佳性能。该元器件因其出色的电性能和稳定性,被广泛应用于各类电子系统中。
商品型号
PMV32UP-HXY
商品编号
C22367510
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.026818克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))900mV@250uA
栅极电荷量(Qg)12nC@4.5V
输入电容(Ciss)950pF@10V
反向传输电容(Crss)120pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

BUK92150-55A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 60 V
  • ID = 15 A
  • RDS(ON) < 49 mΩ @ VGS = 10 V

应用领域

  • 电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF