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AO8822-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- AO8822 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用精巧的TSSOP-8封装形式，适合现代紧凑型电路设计需求。其主要特性包括最大漏源电压VDSS为20V，可承载稳定的7.5A漏极电流ID，且具备优秀的导通性能，导通电阻低至11.5mR，有效减少能量损失，提升整体系统效能。广泛应用在开关电源、电机驱动控制、LED调光以及多种中低电压、中等电流的电子设备中，以其高可靠性与低损耗著称。
- 商品型号
- AO8822-HXY
- 商品编号
- C22367365
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
AO8822是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准，且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 7A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 14mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- DMN2019UTS-HXY
- AOTE32136C-HXY
- DMN2016UTS-HXY
- BUK7210-55B-HXY
- PMV32UP-HXY
- PHD97NQ03LT-HXY
- PHKD6N02LT-HXY
- BSO615NG-HXY
- BSZ130N03MSG-HXY
- BSC020N03LSG-HXY
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- IPD088N06N3G-HXY
- IPD050N03LG-HXY
- BUK7230-55A-HXY
- BUK72150-55A-HXY
- BSC093N04LSG-HXY
- PMV213SN-HXY
- BSH114-HXY
- BUK92150-55A-HXY
- BUK9277-55A-HXY
- IPD042P03L3G-HXY