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AO8822-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- AO8822 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用精巧的TSSOP-8封装形式，适合现代紧凑型电路设计需求。其主要特性包括最大漏源电压VDSS为20V，可承载稳定的7.5A漏极电流ID，且具备优秀的导通性能，导通电阻低至11.5mR，有效减少能量损失，提升整体系统效能。广泛应用在开关电源、电机驱动控制、LED调光以及多种中低电压、中等电流的电子设备中，以其高可靠性与低损耗著称。
- 商品型号
- AO8822-HXY
- 商品编号
- C22367365
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
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