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DMN2019UTS-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
- 描述
- 这款场效应管为N+N型。电流为7.5A，能满足一定的电流负载要求。电压20V，适应多种常见电压环境。内阻典型值11.5mR，较为适中。VGS为10V。可应用于各类电子产品中，如小型电子设备的电源管理和信号处理等方面，确保电路稳定运行。
- 商品型号
- DMN2019UTS-HXY
- 商品编号
- C22367366
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |