温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO8820-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AO8820 是一款N+N沟道MOS管，采用经济实用的TSSOP-8封装形式，适用于各种精密电子设备。器件参数出色，最大漏源电压VDSS为20V，能提供稳定的7.5A漏极电流ID，且拥有较低的导通电阻RD(on)11.5mR，有效减少功率损耗，提高系统能效比。常应用于开关电源、马达驱动、LED照明控制以及其他低电压、中等电流的开关电路设计。
- 商品型号
- AO8820-HXY
- 商品编号
- C22367363
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
PHD97NQ03LT采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 80 A
- RDS(ON) < 6.8 mΩ@ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐