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DMG6968UTS-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:7A
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- 描述
- 这款场效应管为N+N型。电流为7.5A，可满足一定程度的电流需求。电压达20V，适应多种电压环境。内阻典型值11.5mR，较为适中。VGS为10V。它适用于各类电子设备，在电源管理和信号处理等方面发挥作用，确保电路稳定运行。
- 商品型号
- DMG6968UTS-HXY
- 商品编号
- C22367364
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0755克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
PHKD6N02LT采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 7A
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 14mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 2.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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