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IRLML2030PBF-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- IRLML2030PbF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于各种紧凑型电子设计。该器件关键特性包括最高工作电压VDSS为30V，可提供高达4A的连续漏极电流；其低至29mΩ的导通电阻RD(on)，确保在高电流应用中依然保持较低的功率损耗与高效能表现。广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关等众多场景，是您追求高集成度与节能方案的理想MOS管选择。
- 商品型号
- IRLML2030PBF-HXY
- 商品编号
- C22367361
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
BUK7210 - 55B采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 60V，漏极电流ID = 50A
- 当栅源极电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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