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AO4630-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A
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- 描述
- AO4630 N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，具有良好的兼容性和散热性能。该器件能够在30V的额定电压下稳定工作，提供强大的7A连续电流驱动能力，并展现出优异的15mΩ导通电阻，有效保障了系统高效运作与低能耗。广泛应用于电源管理、马达驱动、负载开关等场合，是提升电子设备性能和能效的理想选择。
- 商品型号
- AO4630-HXY
- 商品编号
- C22366930
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 982pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品概述
DMG301NU采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 0.1 A
- RDS(ON) < 2.2 Ω @ VGS = 10 V
- 静电放电等级：人体模型 ≥ 2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源