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PSMN7R6-60BS-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- PSMN7R6-60BS 是一款高性能N沟道MOSFET，采用高效散热封装TO-252-2L，专为大电流应用设计。器件拥有60V的高额定电压VDSS，以及惊人的80A连续电流ID承载能力，充分彰显卓越的电力处理性能。尤为突出的是其超低导通电阻RD(on)仅为6mΩ，确保在大电流环境下依然能有效降低功耗、提升系统能效。
- 商品型号
- PSMN7R6-60BS-HXY
- 商品编号
- C22366951
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |