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STD60NF06T4-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- STD60NF06T4 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-252-2L封装，适配广泛电路设计需求。该器件具有60V的最大漏源电压(VDSS)，能承载高达50A的连续漏极电流(ID)，并展现出极低的15mΩ导通电阻(RD(on))，确保在大电流操作下仍保持高效率、低损耗。这款MOS管适用于各类高功率应用场景，如电源转换、电机驱动、逆变器等，为您的设备提供强劲、稳定的电流控制解决方案。
- 商品型号
- STD60NF06T4-HXY
- 商品编号
- C22366970
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.498nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 185pF |
商品概述
DMNH4015SSD采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V
- ID = 12A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 16mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 24mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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