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AON1606-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.7A
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- 描述
- AON1606 是一款N沟道MOSFET，采用微型DFN1006-3L封装，专为紧凑型和低功耗电子设备设计。其电气特性包括最大漏源电压VDSS为20V，可稳定承载0.7A的漏极电流ID，且导通电阻RD(on)仅为220mR，确保在低电流应用中仍能保持良好的效率表现。这款MOS管被广泛应用于电源管理、信号切换、电池保护电路以及各种便携式和移动设备的低电压、低电流开关控制中。
- 商品型号
- AON1606-HXY
- 商品编号
- C22366976
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 43.6pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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