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BSC057N08NS3G-HXY
1个N沟道 耐压:85V 电流:100A
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- 描述
- BSC057N08NS3G 是一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的DFN5X6-8L封装技术，专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件能在100V的电压VDSS下稳定工作，同时支持高达85A的连续电流，展现出卓越的电力传输能力。其核心优势在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on)，最大限度地减少了能量损失，提升了整体能效。BSC057N08NS3G 广泛适用于电源转换、电动设备驱动、新能源系统等场景，是追求高效能与小型化的理想半导体解决方案。
- 商品型号
- BSC057N08NS3G-HXY
- 商品编号
- C22366994
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 107.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.645nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 673pF |
商品概述
NTMFS4C08N采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V，漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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