BSC057N08NS3G-HXY
1个N沟道 耐压:85V
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描述
BSC057N08NS3G 是一款高性能N沟道MOSFET,采用先进的DFN5X6-8L封装技术,专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件能在100V的电压VDSS下稳定工作,同时支持高达85A的连续电流,展现出卓越的电力传输能力。其核心优势在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on),最大限度地减少了能量损失,提升了整体能效。BSC057N08NS3G 广泛适用于电源转换、电动设备驱动、新能源系统等场景,是追求高效能与小型化的理想半导体解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
BSC057N08NS3G-HXY商品编号
C22366994商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.126克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | - | |
配置 | - |
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