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BSC057N08NS3G-HXY实物图
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BSC057N08NS3G-HXY

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:85V

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    BSC057N08NS3G 是一款高性能N沟道MOSFET,采用先进的DFN5X6-8L封装技术,专为高功率密度和低功耗应用设计。该器件能在100V的电压VDSS下稳定工作,同时支持高达85A的连续电流,展现出卓越的电力传输能力。其核心优势在于仅有4.3mR的超低导通电阻RD(on),最大限度地减少了能量损失,提升了整体能效。BSC057N08NS3G 广泛适用于电源转换、电动设备驱动、新能源系统等场景,是追求高效能与小型化的理想半导体解决方案。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    BSC057N08NS3G-HXY
  • 商品编号

    C22366994
  • 商品封装

    DFN-8L(5x6)
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.126克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-
功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-
配置-

数据手册PDF

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