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NTMFS4C027N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 这款场效应管为N型，具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受值。内阻典型值仅为4.3mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于特定电子设备的电流控制与稳定运行。
- 商品型号
- NTMFS4C027N-HXY
- 商品编号
- C22367002
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDFS2P753Z采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -5.8A
- RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源