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FDS9431A-HXY
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- FDS9431A 型号MOS管基于高级P沟道技术制造，采用紧凑型SOP-8封装规格，专为现代电子设备的小型化及高效能需求而生。在30V额定电压VDSS条件下，该器件能安全处理5A连续漏极电流ID，并具有超低的43mR导通电阻RD(on)，确保高效节能运行。广泛应用于电源转换、电机驱动等领域，是提升系统性能和节能效果的理想半导体组件。
- 商品型号
- FDS9431A-HXY
- 商品编号
- C22367017
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115909克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
FDMS0312AS采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V
- 漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 5.8 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用
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