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AO9926B-HXY
2个N沟道 耐压:20V 电流:8A
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- 描述
- AO9926B 型号MOS管采用N+N沟道技术，封装在小型化的SOP-8封装内，专为高效率电路设计。该器件可在20V额定电压VDSS下稳定运行，提供高达8A的连续漏极电流ID，并具备出色的13mR导通电阻RD(on)，实现卓越的能效比和低损耗表现。广泛应用于电源转换、负载开关等场景，是提升系统性能和节能效果的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- AO9926B-HXY
- 商品编号
- C22367024
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.115克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO4403采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -5.8A
- RDS(ON) < 55mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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