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AO4832-HXY
2个N沟道 耐压:30V 电流:11.5A
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- 描述
- AO4832 是一款高性能N+N沟道MOSFET，采用紧凑型SOP-8封装，适用于多种电子设备的功率控制需求。其关键特性包括最大漏源电压(VDSS)为30V，能够承载高达11.5A的连续漏极电流(ID)，并且具备出色的导通性能，导通电阻仅为10mΩ(RD(on))。这款MOS管凭借其卓越的电流承载能力和低导通损耗优势，广泛应用于电源转换、电机驱动、负载开关控制等领域，是提升系统效率和可靠性的理想选择。
- 商品型号
- AO4832-HXY
- 商品编号
- C22367031
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO4832采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30V，漏极电流 = 11.5A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 30mΩ
- 栅源电压 = 4.5V时，漏源导通电阻 < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源