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ST2341SRG-HXY
耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- ST2341SRG 是一款高效P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为低功耗及高集成度电路设计。其主要特点为工作电压VDSS高达20V，能承载4.2A连续漏极电流，展现出强大的电力管理能力。器件的导通电阻RD(on)仅为48mR，有效减小功率损耗，提升整体能效。ST2341SRG MOS管凭借出色的开关性能、高电流承载力以及稳定的运行表现，广泛应用于电源转换、电池保护、便携式设备等领域，是您设计电路的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- ST2341SRG-HXY
- 商品编号
- C22367045
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
ST1002采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V
- 漏极电流ID = 5 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 140 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用