DMG1013T-HXY
1个P沟道 耐压:20V
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描述
DMG1013T P沟道MOS管采用精巧的SOT-523封装，专为现代紧凑型电子产品设计。器件最大工作电压VDSS为20V，持续电流承载能力高达0.7A，具备优秀的260mR导通电阻，确保低功耗下的高效能运行。广泛应用于移动设备、电池管理、低电压系统开关控制等场景，DMG1013T 凭借其卓越的电气性能与小巧封装，成为电路设计中节省空间与提升效率的理想选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
DMG1013T-HXY商品编号
C22367055商品封装
SOT-523包装方式
编带
商品毛重
0.0188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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