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ST1002-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ST1002-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:5A

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描述
ST1002 N沟道MOS管,采用紧凑型SOT-23-3L封装,特别针对高性能、小体积应用需求。本器件额定电压VDSS高达100V,能够处理5A的连续电流,且拥有100mR的优秀导通电阻,确保在高电流传输中仍保持较低的能量损耗。ST1002 MOS管适用于多种应用场景,如电源转换、负载驱动、电池管理等,以其卓越的电气性能和信赖度,成为电路设计者的明智之选。
商品型号
ST1002-HXY
商品编号
C22367048
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.02克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))140mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
栅极电荷量(Qg)4.3nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF