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IRF540ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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- 描述
- IRF540ZPBF 是一款高性能N沟道MOSFET，采用经典封装TO-220，专为高电压、大电流应用打造。其具有100V的额定电压和高达70A的连续电流处理能力，特别适用于电源转换、电机驱动等领域。导通电阻低至8.5mΩ，确保在大电流运行时仍能保持高效率和低功耗。选择IRF540ZPBF MOS管，让您的设计兼具强劲动力与节能效果。
- 商品型号
- IRF540ZPBF-HXY
- 商品编号
- C22367075
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.737克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI1013X-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 560 mΩ
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) < 780 mΩ
- 静电放电等级：1500V HBM
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源-P沟道MOSFET
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