温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRA01DP-T1-GE3-HXY
P沟道 30V 90A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SIRA01DP-T1-GE3 P沟道MOSFET，采用紧凑型DFN5X6-8L封装，集高效散热与小型化于一体。该器件特色鲜明具备30V的最大漏源电压(VDSS)，可承载高达90A的连续工作电流，且导通电阻(RD(on))低至3.6mΩ，显著提高了功率转换效率并降低了能耗。广泛应用在电源转换、电机驱动等对电流需求大的领域，是提升系统性能、实现节能目标的优选半导体器件。
- 商品型号
- SIRA01DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22367088
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.07nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
IRF1407PBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 120V ID = 120A
- RDS(ON) < 7.5 mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐