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FDMS8880-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- FDMS8880 N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装技术，兼顾小型化与高效散热性能。该器件特点显著额定漏源电压(VDSS)高达30V，能承载50A的连续大电流，其6.5mΩ的超低导通电阻(RD(on))确保了卓越的能效转化率和低损耗运行。广泛应用于电源转换、电池管理、电机驱动等行业，是提升系统性能、实施节能方案的理想半导体元件选择。
- 商品型号
- FDMS8880-HXY
- 商品编号
- C22367092
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
AONS21357采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -70A
- RDS(ON) < 8.8mΩ，VGS = -10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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